NMC-4000(M)MOCVD設(shè)備概述：NANO-MASTER針對InGaN及AlGaN沉積工藝所研發(fā)的臺式等離子輔助金屬有機化學氣相沉積系統(tǒng)(PA-MOCVD),該系統(tǒng)具有5個鼓泡裝置(各帶獨立的冷卻槽)、加熱的氣體管路、950度樣品臺三個氣體環(huán)、淋浴式氣體分布的RF射頻等離子源以及工藝終端的N2沖洗、250l/sec渦輪分子泵及無油真空泵(5x10-7Torr極限真空)、PC全自動控制，*的安全互鎖。
目前，這項技術(shù)延伸到5個4"晶圓的立柜式獨立批處理系統(tǒng)，該系統(tǒng)可以集成到集群配置中以滿足高產(chǎn)量的要求。
NMC-4000(M)MOCVD設(shè)備特點：
臺式系統(tǒng)
10英寸不銹鋼腔體
帶碰頭氣體分配器的射頻等離子源
自動調(diào)節(jié)
4英寸基片夾、可加熱到900°C
5個帶獨立冷卻/加熱的起泡器
加熱氣體管道
附加流量控制器
250升/秒渦輪分子泵組
5×10-7托基準壓
電腦程序全自動驅(qū)動
儀器模擬用戶界面
緊急按鈕保護和安全互鎖
MOCVD設(shè)備選配：
立式獨立系統(tǒng)
感應耦合等離子或微波等離子源
14英寸電解拋光立方體腔體
8英寸或12英寸基片夾
6英寸可加熱至700°C旋轉(zhuǎn)基板臺（4英寸可到950°C）
附加的起泡器和MFC
晶圓自動裝載/卸載
可兼容集群配置
應用：
3到5族半導體層
藍色發(fā)光二極管
激光二極管
紫外-可見光譜光電中的氮化銦納米棒
3D或2D材料中的二硫化鉬、氮化硼、石墨烯
產(chǎn)品分類
更新時間：2021-01-26 
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