RIE-PE刻蝕機主要對太陽能電池片周邊的P—N結進行刻蝕，使太陽能電池片周邊呈開路狀態(tài)。也可用于半導體工藝中多晶硅，氮化硅的刻蝕和去膠。

 

　　刻蝕精度主要是用保真度、選擇比、均勻性等參數(shù)來衡量。所謂保真度度，就是要求把光刻膠的圖形轉移到其下的薄膜上，即希望只刻蝕所要刻蝕的薄膜，而對其上的掩膜和其下的襯底沒有刻蝕。事實上，以上三個部分都會被刻蝕，只是刻蝕速率不同。選擇比就是用來衡量這一指標的參數(shù)。S=V/U（V為對薄膜的刻蝕速率，U為對掩膜或襯底的刻蝕速率），S越大則選擇比越好。由于跨越整個硅片的薄膜厚度和刻蝕速率不盡相同，從而也導致圖形轉移的不均勻，尤其是中心和邊緣相差較大。因而均勻性成為衡量這一指標的重要參數(shù)。除以上參數(shù)外，刻蝕速率也是一個重要指標，它用來衡量硅片的產(chǎn)出速度，刻蝕速率越快，則產(chǎn)出率越高。

 

　　反應離子刻蝕是以物理濺射為主并兼有化學反應的過程。通過物理濺射實現(xiàn)縱向刻蝕，同時應用化學反應來達到所要求的選擇比，從而很好地控制了保真度。

 

　　在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開發(fā)的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節(jié)介紹的硅刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。它被廣泛應用在微處理器（CPU）、存儲（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。

 

　　在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開發(fā)的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。本節(jié)介紹的硅刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。它被廣泛應用在微處理器（CPU）、存儲（DRAM）和各種邏輯電路的制造中。

 

　　在眾多半導體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學腐蝕進行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點，即在刻蝕過程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機是因大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的需要而開發(fā)的精細加工技術，它具有各向異性特點，在zui大限度上保證了縱向刻蝕，還可以控制橫向刻蝕。介紹的RIE-PE刻蝕機就是屬于干法ICP刻蝕系統(tǒng)。

 

　　RIE-PE刻蝕機為了適應工藝發(fā)展需求，各家設備廠商都推出了一系列的關鍵技術來滿足工藝需求。主要有以下幾類；

 

　　2、等離子體技術：等離子體密度和能量單獨控制。

 

　　3、等離子體約束：減少Particle，提高結果重復性。

 

　　4、工藝組件：適應不同工藝需求，對應不同的工藝組件，比如不同的工藝使用不同。

 

　　5、雙區(qū)進氣的目的是通過調節(jié)內外區(qū)敏感氣體的量提高整個刻蝕均一性，結果比較明顯。

 

　　6、反應室結構設計；由200mm時的側抽，改為下抽或者側下抽。有利于提高氣流均一性。

 

　　5、窄的Gap設計可以使得電子穿過殼層，中和晶圓上多余的離子，有利于提高刻蝕剖面陡直度。