等離子去膠機(jī)具有體積小,性能優(yōu)良、用途多、工藝速率高、均勻性及重復(fù)性好、價(jià)格低、使用方便等特點(diǎn)。是各電子器件企業(yè)及科研單位、大專院校的機(jī)型。適合于微電子制作工藝中光刻膠的去膠工藝,同時(shí)有RIE刻蝕功能,可以刻蝕Si、SiO2、SiN。已出口國(guó)外。
等離子去膠機(jī)主要性能:
1.開放式設(shè)計(jì),可快速加載和卸載晶圓。
2.基片放置在石英上,以避免濺射/再沉積電極材料
3.通過頂部電極上的“蓮蓬頭”進(jìn)氣口將氣體注入工藝室
4.電感耦合等離子體(ICP)和電極的獨(dú)立射頻發(fā)生器提供對(duì)離子能量和離子密度的獨(dú)立控制
5.高電導(dǎo)泵浦端口提供高的氣體吞吐量,以最快的腐蝕速率
6.使用等離子體源,生成單原子反應(yīng)種。氧是最常見的反應(yīng)物質(zhì)。
影響等離子去膠機(jī)處理效果的四大因素:
1.頻率的調(diào)整:頻率越高,氧越易電離構(gòu)成等離子體。頻率太高,以致電子振幅比其平均自由程還短,則電子與氣體分子磕碰概率反而減少,使電離率降低。
2.功率的調(diào)整:關(guān)于必定量的氣體,功率大,等離子體中的的活性粒子密度也大,去膠速度也快;但當(dāng)功率增大到必定值,反響所能耗費(fèi)的活性離子到達(dá)飽滿,功率再大,去膠速度則無顯著添加。由于功率大,基片溫度高,所以應(yīng)根據(jù)技術(shù)需求調(diào)理功率。
3.真空度的調(diào)整:恰當(dāng)?shù)恼婵斩?,可使電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程變大,因而從電場(chǎng)取得的能量就大,有利電離。別的當(dāng)氧氣流量必守時(shí),真空度越高,則氧的相對(duì)份額就大,發(fā)生的活性粒子濃度也就大。但若真空度過高,活性粒子濃度反而會(huì)減小。
4.氧氣流量的調(diào)整:氧氣流量大,活性粒子密度大,去膠速率加速;但流量太大,則離子的復(fù)合概率增大,電子運(yùn)動(dòng)的平均自由程縮短,電離強(qiáng)度反而降低。若反響室壓力不變,流量增大,則被抽出的氣體量也添加,其間尚沒參與反響的活性粒子抽出量也隨之添加,因而流量添加對(duì)去膠速率的影響也就不甚顯著。