NIE-4000 IBE離子束刻蝕機(jī)概述：

如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進(jìn)行物理刻蝕則是可能的。樣品表面通常采用厚膠作為掩模，刻蝕期間富有能量的離子流會(huì)使得基片和光刻膠過熱。NANO-MASTER技術(shù)可以把基片溫度控制在50℃以內(nèi)，以便消除熱量及后續(xù)的光刻膠剝離，同時(shí)支持

晶圓旋轉(zhuǎn)以達(dá)到想要的均勻度。

該系統(tǒng)為計(jì)算機(jī)全自動(dòng)實(shí)現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨(dú)立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng)，具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強(qiáng)大、自動(dòng)化程度高、模塊化設(shè)計(jì)易于維護(hù)、低成本的優(yōu)勢(shì)。

NIE-4000 IBE離子束刻蝕機(jī)特點(diǎn)：

• 14.5"不銹鋼立體離子束腔體

• 16cm DC離子槍1000eV,500mA, 氣動(dòng)不銹鋼遮板

• 離子束中和器

• 氬氣MFC

• 6"水冷樣品臺(tái)

• 晶片旋轉(zhuǎn)速度3、10RPM，真空步進(jìn)電機(jī)

• 步進(jìn)電機(jī)控制晶圓片傾斜

• 手動(dòng)或自動(dòng)上下載晶圓片

• 典型刻蝕速率：銅200 ?/min, 硅：500 ?/min

• 6"范圍內(nèi)，刻蝕均勻度+/-3%

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可達(dá)到10-6Torr級(jí)別（配套500 l/s渦輪分子泵）

• 配套1000 l/s渦輪分子泵，極限真空可達(dá)8x10-8Torr

• 磁控濺射Si3N4以保護(hù)被刻蝕金屬表面被氧化

• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

• 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)

• 完整的安全聯(lián)鎖